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QC3是在原Bede公司質量控制型(QC)高解析度X射線繞射儀的基礎上發展設計的最新機型。QC系列產品的歷史已經超過了20年,並在全球擁有數百家使用該設備对化合物半導體和SiGe材料进行科学研究和生產監控的客戶群體。QC3是專為半導體生產研發和質量監控而設計的高解析度X射線繞射儀,可以用於各種類型磊晶材料的組分(濃度)和薄膜厚度的測定。QC3採用行業標準型封閉式光管,並針對不同材料體系配備X射線調節所需的參考晶體,以實現高解析度和高強度的優化組合。QC3提供真正的全自動化操作,包括快速簡便的水平式晶圓片放置模式,全自動化的晶圓片準直流程、測試流程、和數據分析流程。數據分析既可採用全自動化模式,也可以採用專利的自動擬合軟體RADS進行人工分析模式。樣品台可平移300毫米,既可測量大尺寸晶圓片,也可以對小尺寸晶圓片進行多片式同步測量。QC3可根據客戶要求,提供晶圓片裝卸用自動化機械手臂。QC3是進行基底材料、磊晶結構、光電器件生產用晶圓片等各種化合物半導體材料的常規測試的理想設備。
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- 專門為高解析度X射線繞射(HRXRD)優化設計,不因兼顧其他X射線測試技術而降低HRXRD對設備配置的要求。
- 與之前的質量控制型(QC)設備對比,提升了X射線強度,改進了測試精度和測試速度。
- 降低了設備及附件的購置和維修成本。
- 降低了設備營運成本。
- 可依需求提供自動化裝卸晶圓片用機械手臂,具備多片批次式同步測試功能,提高生產測試效率。
- 操作簡便,無需專業人才操作。
- 晶圓片準直、數據采集、與分析完全自動化。
- 擁有在行業中居領先地位的自動化數據擬合分析軟體(RADS),並獲得專利,廣受用戶好評。
- 生產線上,可實現客戶遠程控制數據采集與結果報告。
QC3適用於絕大多數半導體材料和器件結構,包括,但不局限於以下材料類型︰ - GaN基LEDs 和 LDs 結構
- III-V, II-VI, 和IV-IV族相關材料 (HEMTs, HBTs……)
- 矽基材料
- SiGe基HBT結構
- 單層、多層磊晶結構
- 多量子阱 (MQWs) 結構
- 超晶格 (SL) 結構
- 高分辨X射線繞射搖擺曲線
- 對稱、非對稱、 和 002 準消光反射測試
- 磊晶層弛豫、磊晶層傾角、和磊晶層濃度測定
- 三軸晶測試技術和倒易空間Mapping
- 晶圓片均勻性分析
- 基底材料的結晶完整性分析,基底材料的斜切角測量
- X射線繞射儀通用指標
- 精巧型高解析度X射線繞射儀。
- 水平式晶圓片放置模式。最大晶圓片尺寸300mm,小尺寸晶圓片可以多片同時放置。
- 樣品台平移範圍為300mm 。
提供預先校準的參考晶體,既可測量高結晶完整性的GaAs, InP, Si基材料,也可以測量結晶完整性較差的GaN和 ZnO材料。 - EDRc型閃爍式X射線探測器
- 可選配三軸分析晶體
- 可選配晶圓片裝卸用自動化機械手臂。
設備外殼 - 全封閉式機器鋼質外殼,獨立式放置,無需外部支撐。
- 晶圓片裝卸簡便快捷。
- 配置X射線輻射安全用互鎖系統、自動防故障裝置的X射線遮光活板、和X射線警示燈
- 尺寸(近似): 1米 × 1米
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