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QC3
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QC3QCシリーズの最新モデルQC3は、長い歴史の中でその実力が証明された高分解能Ｘ線回折計です。20年来、世界各国の化合物半導体やシリコンゲルマニウムの研究と生産設備に数百台の設置実績があります。QC3は、半導体の開発や品質管理に適した高分解能Ｘ線回折ツールで、さまざまな材料のエピタキシャル層で組成と厚みを測定するために使われています。システムで使用されているスタンダード封入式管球光学系は、それぞれのアプリケーションのために分解能と強度が種々のビーム調整用クリスタルによって最良のコンビネーションに最適化されます。そしてQC3は、シンプルな水平サンプル台を備え、フルオートアライメント、測定そしてデータ解析を真の自動運用として提供します。データ解析は、好評なRADSソフトウェアを使用し自動またはオフラインでも実施する事ができます。サンプルステージは300mmの可動範囲があるため大ウェーハまたは幾つかの小さなウェーハを同時に測定でき、オプションのロボットハンドラーを使用すればカセットからの自動搬送や測定も可能です。QC3は、全ての化合物半導体材料において、半導体基板、エピ層構造そしてプロセス処理されたデバイスウェーハの定常的解析のために理想的な装置です。

ツールパンフレットは、こちらで確認できます。

関連したアプリケーションノートは、こちらで確認できます。

特徴

  • 他の技術で校正する事を必要としないHRXRD専用システム
  • 高強度による同等スループットでの高精度測定、もしくは同等測定精度での高いスループットの実現（以前のQCシステムと比較）
  • 低COO
  • ユーザーフレンドリーなシステム
  • 低ランニングコスト
  • ロボット搬送によるバッチウエーハ測定または複数サンプル搬送によるバッチウエーハ測定
  • 専門家を必要としないシステム操作
  • 完全自動化されたウェーハアライメント、測定および解析
  • RADS解析ソフトウェアによる自動解析もしくはマニュアル解析
  • リモート結果報告が可能

Materials

QC3は、半導体を主成分とする構造物やデバイス構造に対して、最適な装置です。

  • GaNを主成分とするLEDとレーザー構造
  • III～V、II～VIとIV～IVを主成分とする材料（HEMT、HBT...）
  • Siを主成分とする材料
  • SiGeを主成分とするHBT構造
  • 単層、多層エピタキシャル膜
  • MQW構造
  • 超格子構造

技術

仕様

一般

  • コンパクトで高分解能な回折計
  • 300mmまでのサンプルサイズに対応できる取外し可能な水平サンプル台
  • 300mmの可動領域を持つマルチサンプルステージ
  • GaAs、InPやSiを主成分とする化合物などの転位の少ない材料や、GaN、ZnOなどの高い欠陥密度が存在する材料に利用できる光学調整機構
  • EDRcダイナミックレンジX線検出器
  • 3軸アナライザ（オプション）
  • ロボット搬送（オプション）

装置筺体

  • 全ユニット組込み型独立スチール筺体
  • サンプルへのアクセスが容易
  • Ｘ線安全装置、セーフシャッターと警告灯
  • サイズ：およそ1m×1m