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QC3
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QC3QC3是在原Bede公司质量控制型(QC)高分辨率X射线衍射仪的基础上发展设计的最新机型。QC系列产品的历史已经超过了20年,并在全球拥有数百家使用该设备进行化合物半导体和SiGe材料研究和生产监控的客户群体。QC3是专为半导体生产研发和质量监控而设计的高分辨率X射线衍射仪,可以用于各种类型外延材料的组分和厚度的测定。QC3采用行业标准型封闭式光管,并针对不同材料体系配备X射线调节所需的参考晶体,以实现高分辨率和高强度的优化组合。QC3提供真正的全自动化操作,包括快速简便的水平式晶片放置方式,全自动化的晶片准直流程、测试流程、和数据分析流程。数据分析既可采用全自动化模式,也可以采用专利的自动拟合软件RADS进行人工分析模式。样品台可平移300毫米,既可测量大尺寸晶片,也可以对小尺寸晶片进行多片式同步测量。QC3可根据客户要求,提供晶片装卸用自动化机械手臂。QC3是进行衬底、外延结构、光电器件生产晶片等各种化合物半导体材料的常规测试的理想设备。

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特色

  • 专门为高分辨率X射线衍射(HRXRD)优化设计,不因兼顾其他X射线测试技术而降低HRXRD对设备配置的要求。
  • 与之前的质量控制型(QC)设备对比,提高了X射线强度,改进测试精度和测试速度。
  • 降低了设备及附件的购置和维修成本。
  • 降低了设备运行成本。
  • 提供自动化转载晶圆片用机械手臂,具备多片批次式同时测试功能,提供生产测试效率。
  • 操作简便,无需专业人才操作。
  • 晶片准直、数据采集与分析完全自动化
  • 拥有在行业中居领先地位的自动化数据拟合分析软件(RADS),并获得专利,广受用户好评。
  • 生产线上,可实现客户远程控制数据采集与结果报告。

材料应用

QC3适用于绝大多数半导体材料和器件结构,包括,但不局限于以下材料类型:

  • GaN基LEDs 和 LDs 结构
  • III-V, II-VI, 和IV-IV族相关材料 (HEMTs, HBTs……)
  • 硅基材料
  • SiGe基HBT结构
  • 单层、多层外延结构
  • 多量子阱 (MQWs) 结构
  • 超晶格 (SL) 结构

技术

X射线衍射仪通用指标

  • 精巧型高分辨率X射线衍射仪。
  • 水平式晶片放置方式。最大晶片尺寸300mm,小尺寸晶片可以多片同时放置。
  • 样品台平移范围为300mm 。
  • 提供预先校准的参考晶体,既可以测量高结晶完整性的GaAs, InP, Si基材料,也可以测量结晶完整性较差的GaN和 ZnO材料。
  • EDRc型闪烁式X射线探测器
  • 可选配三轴分析晶体
  • 可选配晶片装卸用自动化机械手臂。

设备外壳

  • 全封闭式机器钢质外壳,独立式放置,无需外部支撑。
  • 晶片装卸简便快捷。
  • 配置X射线辐射安全用互锁系统、自动防故障装置的X射线遮光活板、和X射线警示灯
  • 尺寸(近似): 1米x 1米